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电子半导体废水处理案例|电子半导体废水处理方法

西南某LED外加片研发工厂,因研发期间中食用砷化镓、磷化加工处理铟等III-V族无机化合物,废硫酸铜溶液含砷(As)、镉(Cd)、铅(Pb)等高价属,的设计加工处理总量1200吨/日。 废污水含量及因素 MOCVD装置清洁工作污水 :含三级甲等医院医院基镉、三级甲等医院医院基铟等有机的彩石有机物 切精磨废水处理 :含纳米级级合金科粒 化学镀废渣 :含铜、镍等金属件正离子 治理生产技术标准流程 科学创新采用了"脱色破络+高价属气体吸附+膜转移"搭配技艺: 预治理机组 :污泥脱水次氯酸钠溶液分解成有机化学黑色金属络合物 主要清理單元 : 选择DTCR高价属捕集器剂组成不无水磷酸氢螯合物 反渗透膜操作系统(UF)截流大碳原子造成的工业废气 反覆盖(RO)脱盐率>98% 污水外理单元尺寸 :抽滤脱水怎么办后交付给危废除理除理平台应对 终结作用 经其次方论文检测: 总砷含量的:0.05mg/L(新国标0.5mg/L) 镉纯度:0.01mg/L(国家标准0.1mg/L) 水回收利用率:75% 启动成本低:3.8元/吨水

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