某半导体设备清理芯片开发厂在晶圆生产的时候中，动用硅烷展开硅外加发育，废气排放洗衣塔产生了高有机废气浓度含硅电镀废水清理工艺。电镀废水清理工艺兼具pH起伏较大大（2-11）、硅纯度高的优缺点，普通清理方案易出显硅垢短路难题。 废水处理工艺部分及收入 废水处理通常的成分为： 析出性硅酸盐 ：SiO₂含量达1000-1500mg/L 氢氧化的钠/氢氧化的钠 ：洗衣塔强酸强碱洗衣液残存 粒状硅 ：納米级SiO₂电解质溶液 痕量砷 ：成分沉渣带 清理工艺技术程序流程 革新通过"有级中合+膜过滤清洁+汽化心得"技术： 四级结合 ：用CaO可以调节pH至4-5，转成硅酸钙水解，硅彻底清除率60%。 特殊采和 ：加Na₂CO₃将pH提高了至9，进那步放置剩下的硅，电容串联用镁剂除砷。 反渗透装置机系统 ：0.02μm淘瓷膜过滤清洁納米级硅颗料，通量不稳在80LMH。 MVR挥发器 ：萃取高盐电镀废水，晶粒出Na₂SO₄副成品，水循环率超90%。 最后目的 总硅从1500mg/L减少为5mg/L下列 砷硫含量从0.8mg/L降为0.01mg/L 设备无积灰程序运行不低于2年 每次回收处理盐酸钠多晶体约800吨